低場核磁法用于gap固化與溶脹性研究
溶脹是指溶劑分子擴散進入高分子內(nèi)部，使其體積膨脹的現(xiàn)象。溶脹行為是高分子材料的一項重要參數(shù)，高分子材料的平衡溶脹率會影響到材料中物質(zhì)的擴散系數(shù)，表面潤濕性和機械強度等。很多研宄將溶脹特性作為一個設計參數(shù)來制備具有特殊應用的智能材料。
溶脹是高分子材料*的現(xiàn)象，其原因在于溶劑分子與高分子尺寸相差懸殊，分子運動速度相差很大，溶劑分子擴散速度較快，而高分子向溶劑中的擴散緩慢。因此，高分子溶解時首先是溶劑分子滲透進入高分子材料內(nèi)部，使其體積增大，即溶脹。隨著溶劑分子的不斷滲入，溶脹的高分子材料體積不斷增大，大分子鏈段運動增強，再通過鏈段的協(xié)調(diào)運動而達到整個大分子鏈的運動，大分子逐漸進入溶液中，形成熱力學穩(wěn)定的均相體系，即溶解階段，如下圖所示。
溶脹有兩種：
無限溶脹：線形聚合物溶于良好的溶劑中，能無限制吸收溶劑，直到溶解成均相溶液為止。所以溶解也可看成是聚合物無限溶脹的結(jié)果。例：天然橡膠在汽油中；PS在苯中。
有限溶脹：對于交聯(lián)聚合物以及在不良溶劑中的線形聚合物來講，溶脹只能進行到一定程度為止，以后無論與溶劑接觸多久，吸入溶劑的量不再增加，而達到平衡，體系始終保持兩相狀態(tài)。
低場核磁法用于gap固化與溶脹性研究：
低場核磁共振設備主要是檢測樣品中的H質(zhì)子。將樣品放入磁場中之后，通過發(fā)射一定頻率的射頻脈沖，使H質(zhì)子發(fā)生共振，H質(zhì)子吸收射頻脈沖能量。當射頻脈沖結(jié)束之后，H質(zhì)子會將所吸收的射頻能量釋放出來，通過的線圈就可以檢測到H質(zhì)子釋放能量的過程，這也就是核磁共振信號。對于性質(zhì)不同的樣品，其能量釋放的快慢是不同的，通過這些信號差別就可以尋找規(guī)律，研究樣品內(nèi)部性質(zhì)。
低場核磁共振（LF-NMR）在研究基于水遷移率的聚合物網(wǎng)絡的水傳輸和微觀結(jié)構(gòu)方面具有巨大潛力。與高分辨率核磁共振不同，低場核磁共振（LF-NMR）主要用于通過測量弛豫時間來闡明反映結(jié)構(gòu)異質(zhì)性和相互作用的分子遷移率。研究表明，低場核磁共振（LF-NMR）是一種快速、無創(chuàng)、無損的測定水組分分布的方法。
紐邁PQ001系列低場核磁共振分析儀
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